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FDC365P

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产品型号
FDC365P
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDC365P.pdf
总计:$0.50296
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产品型号
FDC365P
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
35V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.3A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
55 mOhm @ 4.2A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
15nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
705pF @ 20V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.6W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SuperSOT™-6
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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