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IPA057N06N3GXKSA1

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产品型号
IPA057N06N3GXKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPA057N06N3GXKSA1.pdf
总计:$2.23000
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产品型号
IPA057N06N3GXKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
60A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
5.7 mOhm @ 60A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 58µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
82nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
6600pF @ 30V
FET特点
-
功率耗散(最大)
38W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
PG-TO220-3-31 Full Pack
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack

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