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BSB056N10NN3GXUMA1

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产品型号
BSB056N10NN3GXUMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BSB056N10NN3GXUMA1.pdf
总计:$1.56119
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$1.56119

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产品型号
BSB056N10NN3GXUMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
9A (Ta), 83A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
5.6 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 100µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
74nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
5500pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
MG-WDSON-2, CanPAK M™
封装/箱体
3-WDSON

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