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GPAS1006 MNG

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产品型号
GPAS1006 MNG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
GPAS1006 MNG.pdf
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产品型号
GPAS1006 MNG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
800V
电流 - 平均整流(Io)
10A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1.1V @ 10A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
-
电流 - Vr时反向漏电
5µA @ 800V
电容@ Vr,F时
50pF @ 4V, 1MHz
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB (D²PAK)
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C

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