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FDD3860

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产品型号
FDD3860
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.53130
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产品型号
FDD3860
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6.2A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
36 mOhm @ 5.9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
31nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1740pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
D-PAK (TO-252AA)
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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