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IPI06CN10N G

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产品型号
IPI06CN10N G
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPI06CN10N G.pdf
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产品型号
IPI06CN10N G
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
100A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
6.5 mOhm @ 100A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 180µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
139nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
9200pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
214W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
PG-TO262-3
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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