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TSM650P03CX RFG

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产品型号
TSM650P03CX RFG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
TSM650P03CX RFG.pdf
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产品型号
TSM650P03CX RFG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
零件状态
Active
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.1A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
65 mOhm @ 4A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
900mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
6.4nC @ 4.5V
VGS(最大)
±12V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
810pF @ 15V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.56W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SOT-23
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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