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IPA65R190E6XKSA1

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产品型号
IPA65R190E6XKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPA65R190E6XKSA1.pdf
总计:$2.07506
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$2.07506

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产品型号
IPA65R190E6XKSA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
零件状态
Not For New Designs
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
20.2A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
190 mOhm @ 7.3A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 730µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
73nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1620pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
34W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
PG-TO220 Full Pack
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack

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