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TPC8115(TE12L,Q,M)

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产品型号
TPC8115(TE12L,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
TPC8115(TE12L,Q,M)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
10A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.8V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
10 mOhm @ 5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.2V @ 200µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
115nC @ 5V
VGS(最大)
±8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
9130pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1W (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
8-SOP (5.5x6.0)
封装/箱体
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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