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SI4916DY-T1-GE3

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产品型号
SI4916DY-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SI4916DY-T1-GE3.pdf
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产品型号
SI4916DY-T1-GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
10A, 10.5A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
18 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
10nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
功率 - 最大
3.3W, 3.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装
8-SO

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