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DMN10H099SFG-13

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产品型号
DMN10H099SFG-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 100V 4.2A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMN10H099SFG-13.pdf
总计:$0.29618
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产品型号
DMN10H099SFG-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 100V 4.2A
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.2A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
80 mOhm @ 3.3A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
25.2nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1172pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
980mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PowerDI3333-8
封装/箱体
8-PowerWDFN

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