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IS43R86400E-6BLI

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产品型号
IS43R86400E-6BLI
制造商
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
描述
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IS43R86400E-6BLI.pdf
总计:$7.35895
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产品型号
IS43R86400E-6BLI
制造商
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
描述
IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
零件状态
Active
内存类型
Volatile
存储格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR
内存大小
512Mb (64M x 8)
时钟频率
166MHz
写周期时间 - 字,页面
15ns
访问时间
700ps
内存接口
Parallel
电压 - 电源
2.3V ~ 2.7V
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
60-TFBGA
供应商设备封装
60-TFBGA (13x8)

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