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FDMD8680

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产品型号
FDMD8680
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
FDMD8680.pdf
总计:$1.28868
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$1.28868

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产品型号
FDMD8680
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
66A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
4.7 mOhm @ 16A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
73nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
5330pF @ 40V
功率 - 最大
39W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerWDFN
供应商设备封装
8-Power 5x6

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