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STP26N60DM6

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产品型号
STP26N60DM6
制造商
STMicroelectronics
描述
N-CHANNEL 600 V 0.110 OHM TYP. 2
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STP26N60DM6.pdf
总计:$4.93000
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产品型号
STP26N60DM6
制造商
STMicroelectronics
描述
N-CHANNEL 600 V 0.110 OHM TYP. 2
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
18A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
195 mOhm @ 9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.75V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
24nC @ 10V
VGS(最大)
±25V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
940pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
130W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220
封装/箱体
TO-220-3

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