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EPC2016C

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产品型号
EPC2016C
制造商
EPC
描述
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
EPC2016C.pdf
总计:$1.05000
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产品型号
EPC2016C
制造商
EPC
描述
GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
18A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
16 mOhm @ 11A, 5V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 3mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
4.5nC @ 5V
VGS(最大)
+6V, -4V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
420pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
Die
封装/箱体
Die

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