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TSM024NA04LCR RLG

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产品型号
TSM024NA04LCR RLG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
TSM024NA04LCR RLG.pdf
总计:$0.65198
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产品型号
TSM024NA04LCR RLG
制造商
Taiwan Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
170A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
2.4 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
67nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
4224pF @ 20V
FET特点
-
功率耗散(最大)
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
8-PDFN (5x6)
封装/箱体
8-PowerTDFN

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