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CTLDM7120-M621H BK

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产品型号
CTLDM7120-M621H BK
制造商
Central Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 20V DFN6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
CTLDM7120-M621H BK.pdf
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产品型号
CTLDM7120-M621H BK
制造商
Central Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 20V DFN6
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.5V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
100 mOhm @ 500mA, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.2V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
2.4nC @ 4.5V
VGS(最大)
8V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
220pF @ 10V
FET特点
-
功率耗散(最大)
1.6W (Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
TLM621H
封装/箱体
6-XFDFN Exposed Pad

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