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IRFB38N20DPBF

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产品型号
IRFB38N20DPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IRFB38N20DPBF.pdf
总计:$2.34000
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产品型号
IRFB38N20DPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
43A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
54 mOhm @ 26A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
91nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2900pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220AB
封装/箱体
TO-220-3

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