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GA50JT06-258

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产品型号
GA50JT06-258
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
TRANS SJT 600V 100A
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
GA50JT06-258.pdf
总计:$659.73600
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产品型号
GA50JT06-258
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
TRANS SJT 600V 100A
零件状态
Active
FET型
-
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
100A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
-
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
25 mOhm @ 50A
VGS(TH)(最大)标识
-
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
VGS(最大)
-
输入电容(CISS)(最大)的Vds
-
FET特点
-
功率耗散(最大)
769W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 225°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-258
封装/箱体
TO-258-3, TO-258AA

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