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IRF6662TRPBF

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产品型号
IRF6662TRPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IRF6662TRPBF.pdf
总计:$0.92807
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产品型号
IRF6662TRPBF
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
8.3A (Ta), 47A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
22 mOhm @ 8.2A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.9V @ 100µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
31nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1360pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
DIRECTFET™ MZ
封装/箱体
DirectFET™ Isometric MZ

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