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IPB044N15N5ATMA1

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产品型号
IPB044N15N5ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPB044N15N5ATMA1.pdf
总计:$4.13276
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产品型号
IPB044N15N5ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
150V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
174A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
8V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
4.4 mOhm @ 87A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.6V @ 264µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
100nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
8000pF @ 75V
FET特点
-
功率耗散(最大)
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-TO263-7
封装/箱体
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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