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APTM10DHM09TG

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产品型号
APTM10DHM09TG
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
APTM10DHM09TG.pdf
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产品型号
APTM10DHM09TG
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
零件状态
Obsolete
FET型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
139A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
10 mOhm @ 69.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
350nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
9875pF @ 25V
功率 - 最大
390W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP4
供应商设备封装
SP4

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