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R6012ANX

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产品型号
R6012ANX
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$3.84000
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产品型号
R6012ANX
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
零件状态
Not For New Designs
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
12A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
420 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
35nC @ 10V
VGS(最大)
±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1300pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
50W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220FM
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack

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