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DMN30H4D0LFDE-7

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产品型号
DMN30H4D0LFDE-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMN30H4D0LFDE-7.pdf
总计:$0.21641
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产品型号
DMN30H4D0LFDE-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
300V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
550mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
2.7V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
4 Ohm @ 300mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.8V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
7.6nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
187.3pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
630mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
U-DFN2020-6 (Type E)
封装/箱体
6-UDFN Exposed Pad

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