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SQJ570EP-T1_GE3

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产品型号
SQJ570EP-T1_GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SQJ570EP-T1_GE3.pdf
总计:$0.52480
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产品型号
SQJ570EP-T1_GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
15A (Tc), 9.5A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
20nC @ 10V, 15nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
650pF @ 25V, 600pF @ 25V
功率 - 最大
27W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商设备封装
PowerPAK® SO-8 Dual

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