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1N4006T-G

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产品型号
1N4006T-G
制造商
Comchip Technology
描述
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
1N4006T-G.pdf
总计:$0.02774
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产品型号
1N4006T-G
制造商
Comchip Technology
描述
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - (Vr)(最大)
800V
电流 - 平均整流(Io)
1A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果
1.1V @ 1A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)
-
电流 - Vr时反向漏电
5µA @ 800V
电容@ Vr,F时
15pF @ 4V, 1MHz
安装类型
Through Hole
封装/箱体
DO-204AL, DO-41, Axial
供应商设备封装
DO-41
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C

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