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HGTP3N60A4D

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产品型号
HGTP3N60A4D
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
HGTP3N60A4D.pdf
总计:$1.40881
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产品型号
HGTP3N60A4D
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
零件状态
Not For New Designs
IGBT类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
17A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
40A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.7V @ 15V, 3A
功率 - 最大
70W
开关能量
37µJ (on), 25µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
21nC
TD(开/关)@ 25℃
6ns/73ns
测试条件
390V, 3A, 50 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
29ns
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220-3

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