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DMN3190LDW-13

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产品型号
DMN3190LDW-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMN3190LDW-13.pdf
总计:$0.07840
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产品型号
DMN3190LDW-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
1A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
190 mOhm @ 1.3A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.8V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
2nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
87pF @ 20V
功率 - 最大
320mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
SOT-363

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