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IPB60R199CPAATMA1

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产品型号
IPB60R199CPAATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH TO263-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPB60R199CPAATMA1.pdf
总计:$2.17910
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$2.17910

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产品型号
IPB60R199CPAATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH TO263-3
零件状态
Not For New Designs
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
16A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
199 mOhm @ 9.9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
3.5V @ 1.1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
43nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1520pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
139W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
D²PAK (TO-263AB)
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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