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BU4S11G2-TR

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产品型号
BU4S11G2-TR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
IC GATE NAND 1CH 2-INP 5SSOP
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BU4S11G2-TR.pdf
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产品型号
BU4S11G2-TR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
IC GATE NAND 1CH 2-INP 5SSOP
零件状态
Active
逻辑类型
NAND Gate
电路数
1
输入数量
2
特征
-
电压 - 电源
3V ~ 16V
电流 - 静态(最大值)
1µA
电流 - 输出高,低
3.4mA, 3.4mA
逻辑电平 - 低
1.5V ~ 4V
逻辑电平 - 高
3.5V ~ 11V
最大传播延迟@ V,最大CL
30ns @ 15V, 50pF
工作温度
-40°C ~ 85°C
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
5-SSOP
封装/箱体
SC-74A, SOT-753

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