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BSM120D12P2C005

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产品型号
BSM120D12P2C005
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BSM120D12P2C005.pdf
总计:$373.29000
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$373.29000

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产品型号
BSM120D12P2C005
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
120A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
-
VGS(TH)(最大)标识
2.7V @ 22mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
-
输入电容(CISS)(最大)的Vds
14000pF @ 10V
功率 - 最大
780W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
-
封装/箱体
Module
供应商设备封装
Module

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