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CDM22010-650 SL

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产品型号
CDM22010-650 SL
制造商
Central Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 10A 650V TO220
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$2.11000
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产品型号
CDM22010-650 SL
制造商
Central Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 10A 650V TO220
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
10A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1 Ohm @ 5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
20nC @ 10V
VGS(最大)
30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1168pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2W (Ta), 156W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220
封装/箱体
TO-220-3

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