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FDPF8D5N10C

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产品型号
FDPF8D5N10C
制造商
ON Semiconductor
描述
FET ENGR DEV-NOT REL
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$2.26195
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$2.26195

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产品型号
FDPF8D5N10C
制造商
ON Semiconductor
描述
FET ENGR DEV-NOT REL
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
76A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
8.5 mOhm @ 76A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 130µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
34nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
2475pF @ 50V
FET特点
-
功率耗散(最大)
2.4W (Ta), 35W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220F
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack

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