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SSM6N357R,LF

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产品型号
SSM6N357R,LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.13950
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$0.13950

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产品型号
SSM6N357R,LF
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
描述
SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
650mA (Ta)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
1.5nC @ 5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
60pF @ 12V
功率 - 最大
1.5W (Ta)
工作温度
150°C
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-SMD, Flat Leads
供应商设备封装
6-TSOP-F

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