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2N7002ET1G

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产品型号
2N7002ET1G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$0.03627
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产品型号
2N7002ET1G
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
260mA (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
2.5 Ohm @ 240mA, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
0.81nC @ 5V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
26.7pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
300mW (Tj)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
SOT-23-3 (TO-236)
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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