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IPB120N06S4H1ATMA1

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产品型号
IPB120N06S4H1ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
IPB120N06S4H1ATMA1.pdf
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产品型号
IPB120N06S4H1ATMA1
制造商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
120A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
2.1 mOhm @ 100A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
4V @ 200µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
270nC @ 10V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
21900pF @ 25V
FET特点
-
功率耗散(最大)
250W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
PG-TO263-3-2
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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