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HGT1S7N60A4DS

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产品型号
HGT1S7N60A4DS
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
HGT1S7N60A4DS.pdf
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产品型号
HGT1S7N60A4DS
制造商
ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
零件状态
Obsolete
IGBT类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
34A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
56A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
2.7V @ 15V, 7A
功率 - 最大
125W
开关能量
55µJ (on), 60µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
37nC
TD(开/关)@ 25℃
11ns/100ns
测试条件
390V, 7A, 25 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
34ns
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB

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