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MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

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产品型号
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
制造商
Micron Technology
描述
IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR.pdf
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产品型号
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
制造商
Micron Technology
描述
IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
零件状态
Obsolete
内存类型
Volatile
存储格式
DRAM
技术
DRAM
内存大小
576Mb (32M x 18)
时钟频率
400MHz
写周期时间 - 字,页面
-
访问时间
15ns
内存接口
Parallel
电压 - 电源
1.7V ~ 1.9V
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
144-TFBGA
供应商设备封装
144-FBGA (18.5x11)

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