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DMN2050LFDB-13

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产品型号
DMN2050LFDB-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMN2050LFDB-13.pdf
总计:$0.15706
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产品型号
DMN2050LFDB-13
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.3A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
45 mOhm @ 5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
12nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
389pF @ 10V
功率 - 最大
730mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-UDFN Exposed Pad
供应商设备封装
U-DFN2020-6 (Type B)

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