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NDS8852H

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产品型号
NDS8852H
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
NDS8852H.pdf
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产品型号
NDS8852H
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
零件状态
Obsolete
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.3A, 3.4A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
80 mOhm @ 3.4A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2.8V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
25nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
300pF @ 15V
功率 - 最大
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装
8-SOIC

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