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NTLJS1102PTAG

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产品型号
NTLJS1102PTAG
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
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产品型号
NTLJS1102PTAG
制造商
ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
零件状态
Obsolete
FET型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
8V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.7A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
1.2V, 4.5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
720mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
25nC @ 4.5V
VGS(最大)
±6V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1585pF @ 4V
FET特点
-
功率耗散(最大)
700mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
6-WDFN (2x2)
封装/箱体
6-WDFN Exposed Pad

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