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PHB108NQ03LT,118

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产品型号
PHB108NQ03LT,118
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
PHB108NQ03LT,118.pdf
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产品型号
PHB108NQ03LT,118
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
零件状态
Obsolete
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
75A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
6 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
2V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
16.3nC @ 4.5V
VGS(最大)
±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1375pF @ 12V
FET特点
-
功率耗散(最大)
187W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商设备封装
D2PAK
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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