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BT169G/DG,126

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产品型号
BT169G/DG,126
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
描述
THYRISTOR 600V 0.8A TO-92
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
BT169G/DG,126.pdf
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产品型号
BT169G/DG,126
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
描述
THYRISTOR 600V 0.8A TO-92
零件状态
Active
电压 - 断路
600V
电压 - 栅极触发(VGT)(最大)
800mV
电流 - 栅极触发(IGT)(最大值)
200µA
电压 - 导通状态(VTM)(最大)
1.7V
电流 - 导通状态(这(AV))(最大值)
500mA
电流 - 导通状态(这(RMS))(最大值)
800mA
电流 - 维持(Ih)(最大值)
5mA
电流 - 断态(最大值)
100µA
电流 - 非众议员浪涌50,60赫兹(ITSM)
8A, 9A
SCR类型
Sensitive Gate
工作温度
-
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供应商设备封装
TO-92-3

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