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APTMC120AM08CD3AG

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产品型号
APTMC120AM08CD3AG
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$1199.97000
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$1199.97000

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产品型号
APTMC120AM08CD3AG
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
250A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
10 mOhm @ 200A, 20V
VGS(TH)(最大)标识
2.2V @ 10mA (Typ)
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
490nC @ 20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
9500pF @ 1000V
功率 - 最大
1100W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
D-3 Module
供应商设备封装
D3

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