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STP6N80K5

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产品型号
STP6N80K5
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220AB
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
STP6N80K5.pdf
总计:$2.59000
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$2.59000

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产品型号
STP6N80K5
制造商
STMicroelectronics
描述
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220AB
零件状态
Active
FET型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
4.5A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON))
10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
1.6 Ohm @ 2A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
5V @ 100µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
7.5nC @ 10V
VGS(最大)
30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
255pF @ 100V
FET特点
-
功率耗散(最大)
85W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备封装
TO-220
封装/箱体
TO-220-3

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