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ZXMC6A09DN8TA

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产品型号
ZXMC6A09DN8TA
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
ZXMC6A09DN8TA.pdf
总计:$1.27500
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$1.27500

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产品型号
ZXMC6A09DN8TA
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
零件状态
Active
FET型
N and P-Channel
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
3.9A, 3.7A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
45 mOhm @ 8.2A, 10V
VGS(TH)(最大)标识
1V @ 250µA (Min)
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
24.2nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
1407pF @ 40V
功率 - 最大
1.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装
8-SOP

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