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DMG8601UFG-7

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产品型号
DMG8601UFG-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
DMG8601UFG-7.pdf
总计:$0.21313
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产品型号
DMG8601UFG-7
制造商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特点
Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
6.1A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.05V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
8.8nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
143pF @ 10V
功率 - 最大
920mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerUDFN
供应商设备封装
U-DFN3030-8

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