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MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

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产品型号
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR
制造商
Micron Technology
描述
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR.pdf
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产品型号
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR
制造商
Micron Technology
描述
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
零件状态
Obsolete
内存类型
Volatile
存储格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR3L
内存大小
4Gb (512M x 8)
时钟频率
800MHz
写周期时间 - 字,页面
-
访问时间
13.75ns
内存接口
Parallel
电压 - 电源
1.283V ~ 1.45V
工作温度
-40°C ~ 95°C (TC)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
78-TFBGA
供应商设备封装
78-FBGA (9x10.5)

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