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APT33GF120B2RDQ2G

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产品型号
APT33GF120B2RDQ2G
制造商
Microsemi
描述
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
总计:$19.30000
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$19.30000

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产品型号
APT33GF120B2RDQ2G
制造商
Microsemi
描述
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
零件状态
Active
IGBT类型
NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大)
64A
电流 - 集电极脉冲(ICM)
75A
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路
3V @ 15V, 25A
功率 - 最大
357W
开关能量
1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
170nC
TD(开/关)@ 25℃
14ns/185ns
测试条件
800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3 Variant
供应商设备封装
-

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