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SQ1912EH-T1_GE3

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产品型号
SQ1912EH-T1_GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
无铅状态/ RoHS状态
无铅/符合RoHS
数据表
SQ1912EH-T1_GE3.pdf
总计:$0.15320
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产品型号
SQ1912EH-T1_GE3
制造商
Vishay
描述
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
零件状态
Active
FET型
2 N-Channel (Dual)
FET特点
Standard
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃
800mA (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的
280 mOhm @ 1.2A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识
1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的
1.15nC @ 4.5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds
75pF @ 10V
功率 - 最大
1.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装
SC-70-6

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